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更新日: 2013年3月18日

シャープ、GaNパワー半導体開発 年内に量産計画

 シャープは14日、窒化ガリウムを使ったパワートランジスタ(パワー半導体)を開発したと発表した。現在、パワー半導体はシリコン製が主流だが、大電流や高電圧に弱く、電力損失が多いのが課題。窒化ガリウムは高電圧に耐えられ、ハイパワーの電力を効率良く使える。

新製品・新技術 今回開発したパワー半導体は定格電圧が600ボルト、定格電流が8アンペア。電流が流れていない状態から流れている状態に変わる際の電圧(オン電圧)が3・5ボルト、電流が流れている際の抵抗値(オン抵抗)が155ミリオーム。サンプルの価格は税込みで3000円。

 従来のシリコン製のパワー半導体に比べ、交流電流を直流に変えたり電圧や周波数を上下させたりと、いわゆるスイッチの役目を果たす時の電力ロスが少ないため、省エネ化に貢献できる。またスイッチの切り替え動作が高速で行えるため、インダクターやコンデンサーなどの周辺部品を小さくでき、製品の軽量化・小型化が図れる。

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日本鉄スクラップ総合価格 (メーカー炉前平均)(産業新聞)

 2016/12/08
H2新断プレス
24300円 (―)27300円 (―)
211.73ドル (0.76)237.87ドル (0.85)

 換算レート (TTS) 114.77円 / ドル
 * 東京・大阪・名古屋の3地区電炉メーカー購入価格平均(トン当たり)

2016/12/08調べ (△印は上げ、▼印は下げ)
(円/トン)
品種東京大阪
条鋼類
異形棒鋼
SD295(直送)D16-25
5200050000
H形鋼
5.5/8 x 200 x 100
6700067000
鉄スクラップ
H21500013000

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品種 東京大阪
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電気銅 685 680 683 678
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電気鉛 313 310 313 310
アルミ二次地金 99% 200 195 200 195

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