東大・神鋼 メモリーデバイス三次元集積可能に

東京大学は1日、神戸製鋼所とコベルコ科研が開発した酸化物半導体ＩＧＺＴＯ（インジウム―ガリウム―亜鉛―錫酸化物）からなるトランジスタに、強誘電体二酸化ハフニウムキャパシタを集積し三次元集積メモリーデバイスを開発したと発表した。従来の酸化物半導体ＩＧＺＯ（インジウム―ガリウム―亜鉛酸化物）を用いたものより移動度が2倍以上高い上、400度以下の低温プロセスで形成できた。人工知能を用いたより高度な社会サービスの展開に資すると期待される。