磁気抵抗メモリー 産総研が新技術

　産業技術総合研究所はこのほど、磁気抵抗メモリー（ＭＲＡＭ）の磁気記憶層に原子層レベルで制御したタンタルを用い、磁気安定性を大幅に改善する技術を開発したと発表した。磁気記憶層にコバルト―鉄―ホウ素（ＣｏＦｅＢ）合金に1原子のタンタル層を施し、ＣｏＦｅＢ合金と酸化マグネシウム（ＭｇＯ）を拡散防止層として金属電極との間に挿入した。磁気安定性や制御効率を低下させる原子拡散のブロックに成功。磁化の向きがそろい、磁気安定性やトンネル磁気抵抗（ＴＭＲ）効果が向上した。超低消費電力な次世代ＭＲＡＭにつながる。