天野・名古屋大教授、ＧａＮ系次世代半導体 3年後低コスト確立へ

　窒化ガリウム（ＧａＮ）研究の世界的権威で、ノーベル物理学賞を受賞した天野浩・名古屋大学教授はこのほど、産業新聞社の単独取材に応じ、3年後をめどにＧａＮを用いた次世代半導体の低コスト製造技術の確立を目指すことを明らかにした。これによりＧａＮ系電力変換デバイス（パワーデバイス）の普及拡大につなげていく。ＧａＮを用いた半導体は高電圧下でも高速動作が可能で省電力化を図れる。現在主流となっているシリコン系半導体の性能を大きく上回る。日本が世界トップレベルの技術を有しており、次世代のコア技術として世界中で研究開発が進められている。