超薄ゲルマニウム膜、産総研が作製法開発

　産業技術総合研究所は5日、ゲルマニウムの膜厚10ナノメートル以下の均一な超薄膜構造の作製法を開発したと発表した。さらにこの薄膜を絶縁膜で挟むと、ゲルマニウム超薄膜中の電子移動度が著しく向上することを発見した。高速性と消費電力低減が期待されるゲルマニウムを用いた大規模集積回路（ＬＳＩ）の実現に前進した。2年以内により精度の高い薄膜化プロセスを確立し、メカニズムを解明する。また、3年以内に民間企業などへの技術移転を目指す。