昭和電工、ＳｉＣウエハー増強

昭和電工は22日、パワー半導体の材料である炭化ケイ素（ＳｉＣ）エピタキシャルウエハーの6インチ（150ミリ）品の月産能力を、従来の400枚から1100枚に引き上げた。4インチ（100ミリ）換算では2500枚となり、従来比で約6割増となる。また高性能デバイスに対応した次世代品も開発した。1枚のウエハーからより多くのパワー半導体を生産できるようになり、顧客である半導体メーカーのコスト削減につながる。10月から出荷を開始する。