2014年9月24日

昭和電工、SiCウエハー増強

昭和電工は22日、パワー半導体の材料である炭化ケイ素(SiC)エピタキシャルウエハーの6インチ(150ミリ)品の月産能力を、従来の400枚から1100枚に引き上げた。4インチ(100ミリ)換算では2500枚となり、従来比で約6割増となる。また高性能デバイスに対応した次世代品も開発した。1枚のウエハーからより多くのパワー半導体を生産できるようになり、顧客である半導体メーカーのコスト削減につながる。10月から出荷を開始する。

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