昭和電工 高品質SiCエピを開発

　昭和電工は1日、パワー半導体向けの炭化ケイ素（ＳｉＣ）エピタキシャルウエハーで、現行品よりも高品質な第2世代製品を開発したと発表した。直径6インチ（150ミリメートル）品で表面欠陥密度を現行品の半分以下に抑えるなどの改良に成功した。エピウエハーから大型チップを切り出す際の歩留まりや、半導体デバイスの信頼性の向上に寄与する。2019年10月に上市予定。