フロスフィア 新規成膜材料を開発

FLOSFIA（フロスフィア、本社＝京都市西京区、人羅俊実社長）は、次世代パワー半導体材料のコランダム（α）型酸化ガリウムで、幅広いデバイス展開を図る。このほど、JSRと共同でP型半導体の酸化イリジウムガリウムにおける新規成膜材料を共同で開発した。従来よりも10倍早い結晶成長を可能とした上、膜厚を均一とし良好なカバレッジ（被覆）の成膜を実現した。P型半導体と酸化ガリウムデバイスを組み合わせることで材料物性を最大限引き出すことができる。共同創業者でエバンジェリストの井川拓人氏は、「次世代のデバイス開発につながる」と意気込む。