ＯＫＩ、信越化学と ＧａＮパワー半導体新製法 剝離・接合技術を開発

ＯＫＩは5日、信越化学工業と共同で窒化ガリウム（ＧａＮ）機能層のみを剝離し、異種材料基板に接合する技術の開発に成功したと発表した。信越化学が独自改良したＧａＮ成長専用の複合材料基板「ＱＳＴ基板」にＯＫＩのＣＦＢ（クリスタル・フィルム・ボンディング）技術を用いることで実現。ＧａＮの縦型導電が可能になり、大電流を制御できる縦型ＧａＮパワーデバイスの実現や普及が期待できるとする。両社は今後、ＧａＮデバイスの製造を手掛ける需要家とのパートナーリングにより社会実装可能なデバイスの開発を継続する方針。